تأثير قيمة الفراغ على الخواص الهيكلية والصرفية للأغشية الرقيقة Ga2O3 NPs بتقنية (PLD)
##plugins.themes.bootstrap3.article.main##
الملخص
في هذه الدراسة, تم تجهيز اغشية رقيقة من جسيمات Ga2O3 النانوية باستخدام طريقة الترسيب بالليزر النبضي (PLD) على طبقة زجاجية تحت فراغ مختلف (5×10-5 ,2×10 -2 و 1 ملي بار) .تم استخدام ليزر Nd-YAG بطول موجي (1064 نانومتر) ومعدل تكرار (5 هيرتز) عند 130 درجة مئوية .تم دراسة تأثير زيادة الفراغ على الخواص البصرية والهيكلية بواسطة الاشعة فوق بنفسجية المرئية (UV-VIS), حيود الاشعة السينية (XRD) ,المسح المجهري الالكتروني (SEM) ,وخصائص التلألؤ الضوئي (PL). اظهرت نتائج XRD ان هيكل الجسيمات النانوية Ga2O3 متعدد البلورات من النوع احادي الميل في اتجاهات بلورية بارزة تبلغ (001) ,(201) ,,(400) ,(-202) ,(111) و(-112). حسب بطاقة JCPDS رقم 00-041-1103. انخفض حجم البلورات لجميع العينات مع زيادة الفراغ . اظهرت صور (SEM) ان الجسيمات النانوية Ga2O3 كروية ومتجانسة . زادت فجوة نطاق الطاقة مع زيادة الفراغ, وكانت ذروة الامتصاص في منطقة الاشعة فوق البنفسجية. تم الحصول على نتائج مماثلة مع الباحث MA Yan-Mei et al [1].
